Память M471A1K43DB1-CWE от Samsung
Activate to Precharge Delay (tRAS) | |
---|---|
CAS Latency (CL) | 22 |
Part number | M471A1K43DB1-CWE |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 22 |
Row Precharge Delay (tRP) | 22 |
Артикул | M471A1K43DB1-CWE |
Вес упаковки (брутто) (г) | 16 |
Вес устройства (г) | 8 |
Вид номенклатуры | МОДУЛИ ПАМЯТИ |
Гарантия | 3 ГОДА |
Дополнительная информация | |
Единица хранения | ШТ |
Количество модулей в комплекте | 1 |
Линейка | |
Наименование для печати | Оперативная память 8GB Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4, 3200 MHz, 25600 Мб/с, CL22, 1.2 В (SO-DIMM), Single rank |
Напряжение питания | 1.2 В |
Низкопрофильная (Low Profile) | НЕТ |
Объем одного модуля | 8192 МБ |
Объём памяти | 8192 МБ |
Текстовое описание | Память 8GB Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4, 3200 MHz, 25600 Мб/с, CL22, 1.2 В (SO-DIMM), Single rank |
Производитель | SAMSUNG |
Пропускная способность | 25600 МБ/С |
Размер упаковки (см) | 16.8 x 5.7 x 2 см |
Система охлаждения | НЕТ |
Страна производитель | КОРЕЯ |
Тактовая частота | 3200 МГЦ |
Тип памяти | DDR-4 |
Форм-фактор | SO-DIMM |
Цвет | - |
Склад | Свободно | Транзит | След. транзит | Дальний транзит |
---|