Дополнительная информация о товаре:
Серия продукции | M471 |
---|---|
Тип памяти | Unbuffered |
Форм-фактор | SODIMM |
Стандарт памяти | DDR4 |
Объем одного модуля, ГБ | 4 |
Количество модулей в комплекте, шт | 1 |
Суммарный объем, ГБ | 4 |
Эффективная частота, МГц | 3200 |
Пропускная способность, Мб/с | 25600 |
Поддержка ECC | Нет |
Низкопрофильная | Нет |
Количество чипов на модуле, шт | 4 |
Количество контактов | 260 |
CAS Latency (CL) | 22 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 22 |
Row Precharge Delay (tRP) | 22 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 44 |
Напряжение питания, В | 1.2 |
Нормальная операционная температура, °C | 85 |
Расширенная операционная температура, °C | 95 |
Габариты | |
Ширина, мм | 133.35 |
Высота, мм | 31.25 |
Вид поставки | OEM |
Ссылка на описание | https://www.samsung.com/semiconductor/dram/module/M471A5244CB0-CWE/ |
Склад | Свободно | Транзит | След. транзит | Дальний транзит |
---|