DDR4|8Гб|Количество 1|2666 МГц|260-pin SO DIMM|Множитель частоты шины 19|Напряжение питания 1.2 В|Организация чипов 1024Mx64
Тип памяти | Unbuffered |
---|---|
Форм-фактор | SODIMM |
Стандарт памяти | DDR4 |
Объем одного модуля, ГБ | 8 |
Количество модулей в комплекте, шт | 1 |
Суммарный объем, ГБ | 8 |
Эффективная частота, МГц | 2666 |
Пропускная способность, Мб/с | 21300 |
Поддержка ECC | Нет |
Низкопрофильная | Нет |
Количество чипов на модуле, шт | 8 |
Количество контактов | 260 |
CAS Latency (CL) | 19 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 19 |
Row Precharge Delay (tRP) | 19 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 42 |
Напряжение питания, В | 1.2 |
Нормальная операционная температура, °C | 85 |
Расширенная операционная температура, °C | 95 |
Габариты | |
Ширина, мм | 69.6 |
Высота, мм | 30 |
Вид поставки | RTL |
Ссылка на описание | http://www.crucial.com/usa/en/ct8g4sfs8266 |
Склад | Свободно | Транзит | След. транзит | Дальний транзит |
---|