DDR4|Module capacity 8Гб|Quantity 1|2666 МГц|Множитель частоты шины 21|Напряжение питания 1.2 В
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 52 |
---|---|
CAS Latency (CL) | 22 |
Part number | M378A1K43EB2-CWE |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 22 |
Row Precharge Delay (tRP) | 22 |
Артикул | M378A1K43EB2-CWE |
Вес упаковки (брутто) (г) | 32 |
Вес устройства (г) | 10 |
Вид номенклатуры | МОДУЛИ ПАМЯТИ |
Гарантия | 1 ГОД |
Дополнительная информация | |
Единица хранения | ШТ |
Количество модулей в комплекте | 1 |
Линейка | |
Наименование для печати | Оперативная память 8GB Samsung M378A1K43EB2-CWE DDR4, 3200 MHz, 25600 Мб/с, CL22, 1.2 В, 1Rх8 (DIMM) |
Напряжение питания | 1.2 В |
Низкопрофильная (Low Profile) | НЕТ |
Объем одного модуля | 8192 МБ |
Объём памяти | 8192 МБ |
Текстовое описание | Оперативная память 8GB Samsung M378A1K43EB2-CWE DDR4, 3200 MHz, 25600 Мб/с, CL22, 1.2 В (DIMM) |
Производитель | SAMSUNG |
Пропускная способность | 25600 МБ/С |
Размер упаковки (см) | 13 х 7.8 х 1.6 см |
Система охлаждения | НЕТ |
Страна производитель | КОРЕЯ |
Тактовая частота | 3200 МГЦ |
Тип памяти | DDR-4 |
Форм-фактор | DIMM |
Цвет | - |
Склад | Свободно | Транзит | След. транзит | Дальний транзит |
---|---|---|---|---|
Москва | Нет |
Нет |
Нет |
Нет |