Модуль памяти Samsung 16GB Samsung DDR5 4800 DIMM M323R2GA3BB0-CQK Non-ECC, CL40, 1.1V, 1Rx8, Bulk / 4dealer.ru
Ваш браузер устарел, возможны проблемы в работе с сайтом
Компания Microsoft прекратила поддержку браузера Internet Explorer.
В связи с этим мы не можем гарантировать корректную работу нашего портала .
Настоятельно рекомендуем перейти на более современный и безопасный браузер.
$ 88,0206 96,0371
 
Отсканируйте QR код, чтобы открыть страницу Или перейдите по ссылке:
https://4dealer.ru/item/modul_pamyati_samsung_16gb_samsung_ddr5_4800_dimm_m323r2ga3bb0-cqk_non-ecc__cl40__11v__1rx8__bulk-13298120.html

Модуль памяти Samsung 16GB Samsung DDR5 4800 DIMM M323R2GA3BB0-CQK Non-ECC, CL40, 1.1V, 1Rx8, Bulk

Цены, артикулы и остатки на складах поставщиков доступны после регистрации
У других поставщиков
Доступно после  регистрации

Производительность DDR5 более, чем в два раза выше, чем DDR4, это обеспечивает пропускную способность до 7200 мегабит в секунду (Мбит/с). Новый модуль подходит для выполнения самых требовательных к вычислениям и пропускной способности задач, относящихся к суперкомпьютерам, искусственному интеллекту, машинному обучению и анализу данных.


Захватывающая дух скорость, для огромных данных в реальном времени


Благодаря исключительной скорости передачи данных до 7200 Мбит/с DDR5 эффективно справляется с постоянно растущими требованиями к более крупным и сложные рабочие нагрузки с данными. DDR5 обеспечивает более чем двукратное увеличение производительности по сравнению с DDR4, с удвоенной длиной пакета с 8 до 16 и удвоением количества банков с 16 до 32. Потрясающая производительность поднимает потолок обработки больших данных, в то же время легко обрабатывая контент 8K.


Удвоенная емкость 


Производственный процесс Samsung класса 10 нм и технология EUV позволяют чипам увеличить объем памяти с 16 Гб до 32 Гб. Удвоение фишки емкость означает, что один модуль может предоставить до 512 ГБ, чтобы плавно справляться с огромными одновременными рабочими нагрузками, с масштабируемостью для будущих инноваций.

Activate to Precharge Delay (tRAS) 77
CAS Latency (CL) 40
Part number M323R2GA3BB0-CQK
RAS to CAS Delay (tRCD) 40
Row Precharge Delay (tRP) 40
Артикул M323R2GA3BB0-CQK
Вес упаковки (брутто) (г) 32
Вес устройства (г) 10
Вид номенклатуры МОДУЛИ ПАМЯТИ
Гарантия 1 ГОД
Дополнительная информация
Единица хранения ШТ
Количество модулей в комплекте 1
Линейка
Наименование для печати Оперативная память 16GB Samsung M323R2GA3BB0-CQK DDR5, 4800 MHz, 38400 Мб/с, CL40, 1.1 В, 1Rх8 (DIMM)
Напряжение питания 1.1 В
Низкопрофильная (Low Profile) НЕТ
Объем одного модуля 16384 МБ
Объём памяти 16384 МБ
Текстовое описание Оперативная память 16GB Samsung M323R2GA3BB0-CQK DDR5, 4800 MHz, 38400 Мб/с, CL40, 1.1 В (DIMM)
Производитель SAMSUNG
Пропускная способность 38400 МБ/С
Размер упаковки (см) 13 х 7.8 х 1.6 см
Система охлаждения НЕТ
Страна производитель КОРЕЯ
Тактовая частота 4800 МГЦ
Тип памяти DDR-5
Форм-фактор DIMM
Цвет -
Склад Свободно Транзит След. транзит Дальний транзит