Серия 990 PRO|1Тб|Форм-фактор M.2|NVMe|Technology 3D NAND TLC|Скорость записи 6900 Мб/сек.|Скорость чтения 7400 Мб/сек.|Толщина диска 2.3mm|TBW 600 Тб|Время наработки на отказ 1500000 ч.
| Интерфейс | |
|---|---|
| Тип интерфейса | PCI Express |
| Версия PCI-E | PCIe 4.0 x4 w/NVMe |
| Вид устройства | Внутренний твердотельный накопитель |
| Позиционирование использования | Desktop |
| Серия продукции | 990 PRO |
| Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format) | Да |
| Форм-фактор | M.2 2280 |
| Номинальный объем, ГБ | 1000 |
| Тип памяти | 3D V-NAND MLC |
| Объем буфера, МБ | 1024 |
| Тип буферной памяти | DDR4 |
| Максимальная скорость чтения, МБ/с | 7450 |
| Максимальная скорость записи, МБ/с | 6900 |
| Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS | 1200 |
| Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS | 1550 |
| Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час. | 1500 |
| Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ | 600 |
| Ударостойкость при хранении, G | 1500 |
| Энергопотребление при работе, Вт, max | 7.8 |
| Размеры | |
| Ширина, мм | 80 |
| Высота, мм | 2.3 |
| Глубина, мм | 22 |
| Ссылки на публикации | https://www.samsung.com/us/computing/memory-storage/solid-state-drives/990-pro-pcie--4-0-nvme--ssd-1tb-mz-v9p1t0b-am/ |
| Комплект поставки | Накопитель, документация |
| Склад | Свободно | Транзит | След. транзит | Дальний транзит |
|---|---|---|---|---|
| Москва | 1 | Нет |
Нет |
Нет |
| Новосибирск | Нет |
Нет |
Нет |
Нет |