Оперативная память Samsung [M323R2GA3DB0-CWM] станет отличным выбором для пользователей, желающих собрать или модернизировать производительный компьютер для дома или офиса. Объем модуля значителен – 16 ГБ. Память соответствует типу DDR5. Модуль отличается безупречной совместимостью с любыми компонентами ПК. Тактовая частота устройства высока – 5600 МГц. Пропускная способность памяти достаточна для эффективной работы любого типового программного обеспечения.
Оперативная память Samsung [M323R2GA3DB0-CWM] использует стандартное для DDR5 напряжение питания – 1.1 В. Энергопотребление модуля минимально. Память не подвержена перегреву. Радиатор конструкцией устройства не предусмотрен. Компоновка чипов – односторонняя.
Activate to Precharge Delay (tRAS) | |
---|---|
CAS Latency (CL) | 46 |
Part number | M323R4GA3DB0-CWM |
RAS to CAS Delay (tRCD) | |
Row Precharge Delay (tRP) | |
Артикул | M323R4GA3DB0-CWM |
Вес упаковки (брутто) (г) | 32 |
Вес устройства (г) | 10 |
Вид номенклатуры | МОДУЛИ ПАМЯТИ |
Гарантия | 1 ГОД |
Дополнительная информация | |
Единица хранения | ШТ |
Количество модулей в комплекте | 1 |
Линейка | M323 |
Наименование для печати | Оперативная память 32GB Samsung M323R4GA3DB0-CWM DDR5, 5600 MHz, 44800 Мб/с, CL46, 1.1 В, 1Rх8 (DIMM) |
Напряжение питания | 1.1 В |
Низкопрофильная (Low Profile) | НЕТ |
Объем одного модуля | 32768 МБ |
Объём памяти | 32768 МБ |
Текстовое описание | Модуль памяти 32GB Samsung M323R4GA3DB0-CWM DDR5, 5600 MHz, 44800 Мб/с, CL46, 1.1 В (DIMM) |
Производитель | SAMSUNG |
Пропускная способность | 44800 МБ/С |
Размер упаковки (см) | 21.2 х 5.4 х 2.7 см |
Система охлаждения | НЕТ |
Страна производитель | КОРЕЯ |
Тактовая частота | 5600 МГЦ |
Тип памяти | DDR-5 |
Форм-фактор | DIMM |
Цвет |
Склад | Свободно | Транзит | След. транзит | Дальний транзит |
---|