Дополнительная информация о товаре:
Тип памяти | Unbuffered |
---|---|
Форм-фактор | SODIMM |
Стандарт памяти | DDR5 |
Объем одного модуля, ГБ | 8 |
Количество модулей в комплекте, шт | 1 |
Суммарный объем, ГБ | 8 |
Эффективная частота, МГц | 4800 |
Пропускная способность, Мб/с | 38400 |
Поддержка ECC | On-Die ECC |
Низкопрофильная | Нет |
Количество чипов на модуле, шт | 4 |
Количество ранков | 1 |
Количество контактов | 262 |
CAS Latency (CL) | 40 |
Напряжение питания, В | 1.1 |
Наличие радиатора | Нет |
Вид поставки | OEM |
Ссылка на описание | https://semiconductor.samsung.com/dram/module/sodimm/m425r1gb4bb0-cqk/ |
Комплект поставки | Модуль памяти |
Склад | Свободно | Транзит | След. транзит | Дальний транзит |
---|