Дополнительная информация о товаре:
Максимальная скорость записи | 2900 |
---|---|
Максимальная скорость чтения | 3300 |
Время наработки на отказ | 2000000 |
Тип памяти NAND | 3D NAND TLC |
Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) | 280000 |
Толщина | 2.9 |
Ресурс TBW | 1200 |
Разъем | M.2 |
Поддержка NVMe | ДА |
Ударостойкость при хранении | 1500 G |
Ударостойкость при работе | 1500 G |
Склад | Свободно | Транзит | След. транзит | Дальний транзит |
---|---|---|---|---|
Москва | 85 | Нет |
Нет |
Нет |
Новосибирск | Нет |
100 | Нет |
Нет |