DDR4|Module capacity 8Гб|Quantity 1|2666 МГц|Множитель частоты шины 21|Напряжение питания 1.2 В
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 52 |
|---|---|
| CAS Latency (CL) | 22 |
| Part number | M378A1K43EB2-CWE |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 22 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 22 |
| Артикул | M378A1K43EB2-CWE |
| Вес упаковки (брутто) (г) | 32 |
| Вес устройства (г) | 10 |
| Вид номенклатуры | МОДУЛИ ПАМЯТИ |
| Гарантия | 1 ГОД |
| Дополнительная информация | |
| Единица хранения | ШТ |
| Количество модулей в комплекте | 1 |
| Линейка | |
| Наименование для печати | Оперативная память 8GB Samsung M378A1K43EB2-CWE DDR4, 3200 MHz, 25600 Мб/с, CL22, 1.2 В, 1Rх8 (DIMM) |
| Напряжение питания | 1.2 В |
| Низкопрофильная (Low Profile) | НЕТ |
| Объем одного модуля | 8192 МБ |
| Объём памяти | 8192 МБ |
| Текстовое описание | Оперативная память 8GB Samsung M378A1K43EB2-CWE DDR4, 3200 MHz, 25600 Мб/с, CL22, 1.2 В (DIMM) |
| Производитель | SAMSUNG |
| Пропускная способность | 25600 МБ/С |
| Размер упаковки (см) | 13 х 7.8 х 1.6 см |
| Система охлаждения | НЕТ |
| Страна производитель | КОРЕЯ |
| Тактовая частота | 3200 МГЦ |
| Тип памяти | DDR-4 |
| Форм-фактор | DIMM |
| Цвет | - |
| Склад | Свободно | Транзит | След. транзит | Дальний транзит |
|---|