Оперативная память Samsung [M323R2GA3DB0-CWM] станет отличным выбором для пользователей, желающих собрать или модернизировать производительный компьютер для дома или офиса. Объем модуля значителен – 16 ГБ. Память соответствует типу DDR5. Модуль отличается безупречной совместимостью с любыми компонентами ПК. Тактовая частота устройства высока – 5600 МГц. Пропускная способность памяти достаточна для эффективной работы любого типового программного обеспечения.
Оперативная память Samsung [M323R2GA3DB0-CWM] использует стандартное для DDR5 напряжение питания – 1.1 В. Энергопотребление модуля минимально. Память не подвержена перегреву. Радиатор конструкцией устройства не предусмотрен. Компоновка чипов – односторонняя.
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | |
|---|---|
| CAS Latency (CL) | 46 |
| Part number | M323R4GA3DB0-CWM |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | |
| Row Precharge Delay (tRP) | |
| Артикул | M323R4GA3DB0-CWM |
| Вес упаковки (брутто) (г) | 32 |
| Вес устройства (г) | 10 |
| Вид номенклатуры | МОДУЛИ ПАМЯТИ |
| Гарантия | 1 ГОД |
| Дополнительная информация | |
| Единица хранения | ШТ |
| Количество модулей в комплекте | 1 |
| Линейка | M323 |
| Наименование для печати | Оперативная память 32GB Samsung M323R4GA3DB0-CWM DDR5, 5600 MHz, 44800 Мб/с, CL46, 1.1 В, 1Rх8 (DIMM) |
| Напряжение питания | 1.1 В |
| Низкопрофильная (Low Profile) | НЕТ |
| Объем одного модуля | 32768 МБ |
| Объём памяти | 32768 МБ |
| Текстовое описание | Модуль памяти 32GB Samsung M323R4GA3DB0-CWM DDR5, 5600 MHz, 44800 Мб/с, CL46, 1.1 В (DIMM) |
| Производитель | SAMSUNG |
| Пропускная способность | 44800 МБ/С |
| Размер упаковки (см) | 21.2 х 5.4 х 2.7 см |
| Система охлаждения | НЕТ |
| Страна производитель | КОРЕЯ |
| Тактовая частота | 5600 МГЦ |
| Тип памяти | DDR-5 |
| Форм-фактор | DIMM |
| Цвет |
| Склад | Свободно | Транзит | След. транзит | Дальний транзит |
|---|---|---|---|---|
| Курская | Нет |
Нет |
Нет |
Нет |
| Профсоюзная | Нет |
Нет |
Нет |
Нет |
| Центральный склад | Нет |
Нет |
Нет |
Нет |