1Тб|Форм-фактор M.2|Наличие PCIE|NVMe|Technology 3D NAND|Скорость записи 6000 Мб/сек.|Скорость чтения 7300 Мб/сек.|TBW 1000 Тб|Время наработки на отказ 1800000 ч.
Склад | Свободно | Транзит | След. транзит | Дальний транзит |
---|---|---|---|---|
Москва | Нет |
Нет |
Нет |
Нет |