SSD накопитель Samsung 9100 PRO (MZ-VAP1T0CW) объёмом 1 Тб выполнен в форм-факторе M.2 и оснащён памятью типа TLC. Для подключения используется интерфейс PCI-E 5.0, поддерживается NVMe. Максимальная скорость чтения составляет 14700 Мб/с, записи — 13300 Мб/с.<br><br>Максимальная скорость случайного чтения достигает 1850000 IOPS, случайной записи — 2600000 IOPS. Накопитель работает на контроллере Samsung in-house и оснащён DRAM-буфером объёмом 1024 Мб. Ресурс записи составляет 600 Тб, наработка на отказ — 1500000 часов.<br><br>Размер накопителя — 80×25×9 мм, вес — 30 г. Потребляемая мощность составляет 7.6 Вт. Цвет — чёрный.<br><br>Внешний вид и/или характеристики товара могут быть изменены производителем в соответствии с производственным процессом.
| Длина, мм |
80.15 |
| Ширина, мм |
25 |
| Размер, мм |
не будет данных |
| Толщина, мм |
8.88 |
| Цвет |
чёрный |
| Объем памяти |
1 ТБ |
| Потребляемая мощность |
7.6 ВТ |
| Интерфейс |
PCI-E 5.0 |
| Форм-фактор |
M.2 |
| Объем буфера |
1024 mb |
| Тип памяти |
TLC |
| Максимальная скорость записи |
13300 Мб/с |
| Поддержка NVMe |
да |
| Максимальная скорость чтения |
14700 Мб/с |
| Максимальная скорость случайного чтения, IOPS |
1850000 |
| Максимальная скорость случайной записи, IOPS |
2600000 |
| Для геймеров |
да |
| Наработка на отказ |
1500000 |
| Вес, кг |
не будет данных |
| Вес, г |
30 |
| Контроллер |
заглушка бд |
| Ресурс работы (TBW) |
600 ТБ |
| DRAM буфер |
556405 |
| Гарантийный срок |
12 МСЦ |
| Страна происхождения |
Южная Корея |