Твердотельный накопитель Samsung Electronics MZ-VAP8T0BW / 4dealer.ru
Ваш браузер устарел, возможны проблемы в работе с сайтом
Компания Microsoft прекратила поддержку браузера Internet Explorer.
В связи с этим мы не можем гарантировать корректную работу нашего портала .
Настоятельно рекомендуем перейти на более современный и безопасный браузер.
$ 86,5857 100,5693
 
Отсканируйте QR код, чтобы открыть страницу Или перейдите по ссылке:
https://4dealer.ru/item/tverdotelnyiy_nakopitel_samsung_electronics_mz-vap8t0bw-30298747.html?info=a

Твердотельный накопитель Samsung Electronics MZ-VAP8T0BW

Цены, артикулы и остатки на складах поставщиков доступны после регистрации
У других поставщиков
Доступно после  регистрации

Доведите производительность PCIe 5.0 до предела. 9100 PRO обеспечивает высокую скорость последовательного чтения/записи до 14 800/13 400 МБ/с, что вдвое быстрее, чем у 990 PRO. Оставьте позади ограничения Gen4 благодаря скорости случайного чтения/записи до 2200K/2600K IOPS, достижимой только с Gen5. Расширьте границы своей производительности. Потрясающая скорость случайного чтения/записи позволяет быстро обрабатывать бесчисленные фрагментированные наборы данных параллельно — до 2200 тыс./2600 тыс. операций ввода-вывода в секунду. Оцените мгновенную загрузку и вывод данных — для масштабных игр, ресурсоемких задач и даже приложений искусственного интеллекта. Интеллект определяет производительность. Возможности для работы и развлечений — благодаря интегрированному ПК с искусственным интеллектом и генерации контента с помощью ИИ. Благодаря впечатляющей скорости случайного чтения/записи 9100 PRO, до 2200K/2600K IOPS. Быстрая загрузка, плавный игровой процесс, безупречная производительность. Благодаря интерфейсам PCIe 5.0 вы без труда освоите видеомонтаж, 3D-дизайн и даже длительные сеансы потоковой передачи. Оцените современную производительность. В любое время, в любом месте и на нескольких устройствах. Выберите необходимый объем хранилища — до 8 ТБ.

Назначение Клиентские ПК
Модель Samsung 9100 PRO
Форм-фактор M.2 2280
Интерфейс PCIe 5.0 x4
Ёмкость накопителя, Гбайт 8000
Тип памяти V-NAND
DRAM буфер 1
Скорость последовательного чтения, Мбайт/c 14800
Скорость последовательной записи, Мбайт/c 13400
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32), IOPS 2200000
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32), IOPS 2600000
Средняя наработка на отказ, ч 1500000
TBW твердотельного накопителя, Тбайт 4800
Особенности расширенный температурный диапазон
Склад Свободно Транзит След. транзит Дальний транзит