Дополнительная информация о товаре:
Интерфейс | |
---|---|
Тип интерфейса | PCI Express |
Версия PCI-E | PCIe 3.1 x4 w/NVMe |
Вид устройства | Внутренний твердотельный накопитель |
Позиционирование использования | Datacenter |
Форм-фактор | 2.5" |
Номинальный объем, ГБ | 7680 |
Объем после форматирования, GiB | 6024 |
Тип памяти | 3D NAND TLC |
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с | 7680 |
Максимальная скорость чтения, МБ/с | 6700 |
Максимальная скорость записи, МБ/с | 4000 |
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS | 1100 |
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS | 200 |
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час. | 2000 |
Ударостойкость при работе, G | 1500 |
Ударостойкость при хранении, G | 1500 |
Размеры | |
Ширина, мм | 70.1 |
Высота, мм | 7 |
Глубина, мм | 100 |
Тип комплектации | RTL |
Ссылка на описание | https://www.samsung.com/semiconductor/ssd/datacenter-ssd/MZQL23T8HCJS-00A07/ |
Интерфейс | |
Тип интерфейса | PCI Express |
Версия PCI-E | PCIe 3.1 x4 w/NVMe |
Вид устройства | Внутренний твердотельный накопитель |
Позиционирование использования | Datacenter |
Форм-фактор | 2.5" |
Номинальный объем, ГБ | 15360 |
Объем после форматирования, GiB | 12048 |
Тип памяти | 3D NAND TLC |
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с | 7680 |
Максимальная скорость чтения, МБ/с | 6700 |
Максимальная скорость записи, МБ/с | 4000 |
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS | 1100 |
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS | 200 |
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час. | 2000 |
Ударостойкость при работе, G | 1500 |
Ударостойкость при хранении, G | 1500 |
Размеры | |
Ширина, мм | 70.1 |
Высота, мм | 7 |
Глубина, мм | 100 |
Тип комплектации | RTL |
Ссылка на описание | https://www.samsung.com/semiconductor/ssd/datacenter-ssd/MZQL23T8HCJS-00A07/ |
Склад | Свободно | Транзит | След. транзит | Дальний транзит |
---|